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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E640412E |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 16米x 4位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | K4E640412E |
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CMOS DRAM
K4E660412E,K4E640412E
Industrial Temperature
HIDDEN REFRESH CYCLE ( READ )
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OEZ
DATA-OUT
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RP
RAS
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IH
-
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OLZ
* In Hidden refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
t
RAL
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| K4E640412E-JP50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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