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參數(shù)資料
| 型號： | K4D551638D-TC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 4/18頁 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | K4D551638D-TC |
256M GDDR SDRAM
K4D551638D-TC
- 4 -
Rev 1.8 (Oct. 2003)
PIN CONFIGURATION
(Top View)
PIN DESCRIPTION
CK,CK
Differential Clock Input
BA
0
, BA
1
Bank Select Address
CKE
Clock Enable
A
0
~A
12
Address Input
CS
Chip Select
DQ
0
~ DQ
15
Data Input/Output
RAS
Row Address Strobe
V
DD
Power
CAS
Column Address Strobe
V
SS
Ground
WE
Write Enable
V
DDQ
Power for DQ
’
s
L(U)DQS
Data Strobe
V
SSQ
Ground for DQ
’
s
L(U)DM
Data Mask
NC
No Connection
RFU
Reserved for Future Use
VREF
Reference voltage
1
66 PIN TSOP(II)
(400mil x 875mil)
(0.65 mm Pin Pitch)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
20
19
18
17
16
15
14
13
27
26
25
24
23
22
21
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
35
36
37
38
39
40
41
42
55
56
57
58
59
60
34
33
32
31
30
29
28
61
62
63
64
65
66
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
BA
0
CS
RAS
CAS
WE
LDM
V
DDQ
DQ
7
V
DD
A
3
A
2
A
1
A
0
AP/A
10
BA
1
NC
LDQS
NC
NC
NC
V
DD
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
DDQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
A
11
CKE
CK
UDM
V
REF
V
SSQ
DQ
8
V
SS
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
UDQS
NC
V
SS
CK
NC
A
12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4D551638D-TC2A | 256Mbit GDDR SDRAM |
| K4D551638D-TC33 | 256Mbit GDDR SDRAM |
| K4D551638D-TC36 | 256Mbit GDDR SDRAM |
| K4D551638D-TC40 | 256Mbit GDDR SDRAM |
| K4D551638D-TC45 | CABLE ASSEMBLY; 2.9mm MALE TO 2.9mm MALE; 40 GHz CABLE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4D551638D-TC2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR SDRAM |
| K4D551638D-TC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR SDRAM |
| K4D551638D-TC36 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR SDRAM |
| K4D551638D-TC40 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR SDRAM |
| K4D551638D-TC45 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR SDRAM |
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