參數(shù)資料
型號(hào)： JANTXV2N3501
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： 300 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SIMILAR TO TO-5, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： JANTXV2N3501
2N3019, 2N3019S, 2N3057A, 2N3700, 2N3700UB JAN SERIES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS (con’t)
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 90 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 5.0 Vdc
ON CHARACTERISTICS (1)
Forward-Current Transfer Ratio
I
C
= 150 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 0.1 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 10 Vdc
I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 10 Vdc
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 150 mAdc, I
B
= 15 mAdc
I
C
= 500 mAdc, I
B
= 50 mAdc
Base-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 150 mAdc, I
B
= 15 mAdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Small-Signal Short-Circuit Forward Current Transfer Ratio
I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz
Magnitude of Small-Signal Short-Circuit
Forward Current Transfer Ratio
I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 20 MHz
Output Capacitance
V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, 100 kHz
≤
f
≤
1.0 MHz
Input Capacitance
V
EB
= 0.5 Vdc, I
C
= 0, 100 kHz
≤
f
≤
1.0 MHz
SAFE OPERATING AREA
DC Tests
T
C
= 25
0
C, 1 Cycle, t = 10 ms
Test 1
2N3019, 2N3019S
2N3057A, 2N3700, 2N3700UB
Test 2
2N3019, 2N3019S
2N3057A, 2N3700, 2N3700UB
Test 3
2N3019, 2N3019S
2N3057A, 2N3700, 2N3700UB
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%.
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
I
CES
10
η
Adc
I
EBO
10
η
Adc
h
FE
100
50
90
50
15
300
200
200
V
CE(sat)
0.2
0.5
Vdc
V
BE(sat)
1.1
Vdc
h
fe
80
400
h
fe
5.0
20
C
obo
12
p
C
ibo
60
pF
V
CE
=
10 Vdc
I
C
= 500 mAdc
I
C
= 180 mAdc
V
CE
=
40 Vdc
I
C
= 125 mAdc
I
C
= 45 mAdc
V
CE
=
80 Vdc
I
C
= 60 mAdc
I
C
= 22.5 mAdc
120101
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTXV2N3501L NPN SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N3584 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N3585 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N3634 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JANTXV2N3634L PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANTXV2N3501L 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3-Pin TO-5 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk
JANTXV2N3501UB 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Waffle Pack
JANTXV2N3506 功能描述:TRANS NPN 40V 3A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/349 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39（TO-205AD） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANTXV2N3506A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk
JANTXV2N3506AL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Bulk
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