型號: | JANTXV1N5809 |
元件分類: | 整流器 |
英文描述: | 1.7 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
封裝: | HERMETIC SEALED, G112, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大小: | 149K |
代理商: | JANTXV1N5809 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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JANTX1N5811 | 1.7 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
JANTXV1N5807 | 1.7 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
JANTX1N5809 | 1.7 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
JANTX1N5807 | 1.7 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
JANTXV1N5811 | 1.7 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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JANTXV1N5809URS | 功能描述:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 |
JANTXV1N5809US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 100V 6A 2-Pin E-MELF 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Trays |
JANTXV1N5811 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case E 制造商:Semtech Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case G-112 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
JANTXV1N5811CBUS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF |
JANTXV1N5811URS | 功能描述:Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 |