參數(shù)資料
型號： JANTXV1N5802US
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類： 整流器
英文描述： 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, MELF-A-2
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： JANTXV1N5802US
HERMETIC SURFACE MOUNT RECTIFIERS - MELFs
ULTRAFAST RECOVERY (25 nsec
≤ trr ≤ 70 nsec)
TYPE
NUMBER
PEAK
INVERSE
VOLTAGE
MAX. AVG.
DC
OUTPUT
CURRENT
Amps
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
@ PIV
Amps
MAX. PEAK
FORWARD
VOLTAGE
(PULSED)
PEAK
1 CYCLE
SURGE
CURRENT
MAXIMUM
REVERSE
RECOVERY
TIME
THERM.
RESIS.
RθJEC
PACKAG
E
STYLE
Volt
s
55
°C
100
°C
25
°C
100
°C
V
A
Amps
nsec
°C/W
SSM160HE
SSM180HE
SSM1100HE
600
800
100
0
.75
.60
5.0
50
1.70
.75
20
-
70
10
MELF-1
1N6620U **
1N6621U **
1N6622U **
1N6623U **
1N6624U **
1N6625U **
SSM1120HE
200
400
600
800
900
100
0
120
0
2.0
1.5
°
1.2
1.0
0.5
1.0
150
200
1.60
1.80
1.95
2.10
2.0
1.5
20
15
-
30
50
60
20
1N5802US **
1N5804US **
1N5806US **
SSM120HE
50
100
150
200
2.5
1.0
50
.875
.975
1.0
35
25
20
MELF-A
1N5807US **
1N5809US **
1N5811US **
SSM320HE
50
100
150
200
6.0
8.0
5.0
150
.975
1.10
6.0
125
30
10
1N6626U **
1N6627U **
1N6628U **
1N6629U **
1N6630U **
1N6631U **
SSM3120HE
200
400
600
800
900
100
0
120
0
4.0
3.0
2.0
°
2.0
1.4
2.0
4.0
500
600
1.50
1.70
1.95
2.10
4.0
3.0
2.0
75
60
-
30
50
60
11
MELF-B
SSM65HE
SSM610HE
SSM615HE
SSM620HE
SSM640HE
SSM660HE
SSM680HE
SSM690HE
SSM6100HE
50
100
150
200
400
600
800
900
100
0
6
3
10
1000
1500
2000
0.95
1.20
1.60
1.70
6
125
-
70
8.0
MELF-E
*
available at JAN/JANTX levels
**
available at JAN/JANTX/JANTXV levels
Notes:
- All ratings are at T
A =
25
°C unless otherwise specified.
- Maximum operating and storage temperature range -65
°C to +175°C
T
EC
= Endcap temperature. Endcaps have to be heat sunk sufficiently to remove
dissipated power in order to achieve this rated current
- t
rr
conditions; I
f
= 0.5A, I
r
= 1.0A, I
rr
= 0.25A
Maximum thermal resistance, junction to endcaps
Rating at T
J
= 150
°C
° T
A
= 25
°C
± T
EC
= 110
°C
T
A
= 55
°C
Reverse recovery time conditions:
I
f
= I
r
= 1.0A, I
rr
= 0.1A di/ dt = 100A/
sec minimum
Reverse recovery time conditions: I
f
= I
r
= 0.5A, I
rr
= 0.5A
Output current rating at T
L
= 75
°C, L = .375”.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTXV1N6629U 1.4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
JANTX1N6627 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
JANTX1N6629U 1.4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
JAN1N6627U 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
JANTX1N5802US 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANTXV1N5804 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 100V 2.5A 2-Pin Case A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 100V 2.5A 2-Pin Case A
JANTXV1N5804URS 功能描述:Diode Standard 100V 1A Surface Mount A-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1
JANTXV1N5804US 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 100V 2.5A 2-Pin A-MELF T/R 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Trays
JANTXV1N5806 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin Case A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk
JANTXV1N5806URS 功能描述:Diode Standard 150V 1A Surface Mount A-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1
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