參數(shù)資料
型號(hào)： JANTXV1N5464B
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： 12 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
封裝： GLASS PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 33K
代理商： JANTXV1N5464B
P.O. BOX 609
ROCKPORT, MAINE 04856 207-236-6076 FAX 207-236-9558
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5441 TO 1N5476
PART
CAPACITANCE
TUNING RATIO
MIN QUALITY FACTOR
NUMBER
@ 4 Vdc 1 MHz
C2 V / C30V
Q @ - 4 Vdc
(pF)
MIN
MAX
f = 50 MHz
1N5441
6.8
2.5
3.1
450
1N5442
8.2
2.5
3.1
450
1N5443
10.0
2.6
3.1
400
1N5444
12.0
2.6
3.1
400
1N5445
15.0
2.6
3.1
400
1N5446
18.0
2.6
3.1
350
1N5447
20.0
2.6
3.1
350
1N5448
22.0
2.6
3.2
350
1N5449
27.0
2.6
3.2
350
1N5450
33.0
2.6
3.2
350
1N5451
39.0
2.6
3.2
300
1N5452
47.0
2.6
3.2
250
1N5453
56.0
2.6
3.3
200
1N5454
68.0
2.7
3.3
175
1N5455
82.0
2.7
3.3
175
1N5456
100.0
2.7
3.3
175
1N5461
6.8
2.7
3.1
600
1N5462
8.2
2.8
3.1
600
1N5463
10.0
2.8
3.1
550
1N5464
12.0
2.8
3.1
550
1N5465
15.0
2.8
3.1
550
1N5466
18.0
2.9
3.1
500
1N5467
20.0
2.9
3.1
500
1N5468
22.0
2.9
3.2
500
1N5469
27.0
2.9
3.2
500
1N5470
33.0
2.9
3.2
500
1N5471
39.0
2.9
3.2
450
1N5472
47.0
2.9
3.2
400
1N5473
56.0
2.9
3.3
300
1N5474
68.0
2.9
3.3
250
1N5475
82.0
2.9
3.3
225
1N5476
100.0
2.9
3.3
200
Package style
DO-7
DC Power Dissipation
@ Ta = 25°C
400 mW
Min Reverse Breakdown Voltage
@ IR = 10 A
30 V
Max Reverse Current (IR)
@ 25 Vdc
0.02 A
Max Reverse Current (IR2)
@ 25 Vdc 150°C
20 A
Temp. Coefficient of Capacitance
@ Vr=4 Vdc; Ta -65° to + 85°c
.04% /°C
Operating Temperature (Topr)
-65 to +175°C
Storage Temperature (Tstg)
-65 to +200°C
Capacitance Tolerance
Standard Device
±20%
Suffix A
±10%
Suffix B
±5%
Suffix C
±2%
DENOTES MILITARY APPROVAL FOR JAN - JANTX – JANTXV (B & C Tolerance only)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN1N5464C 12 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTXV1N5472B 47 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTXV1N5473C 56 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTXV1N5470C 33 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTX1N5467C 20 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANTXV1N5518B 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 417MW - Bulk
JANTXV1N5518B-1 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk
JANTXV1N5518BUR-1 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Trays
JANTXV1N5518C-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANTXV1N5518CUR-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*