參數(shù)資料
型號(hào): JANTXV1N3595-1
廠商: MICROSEMI CORP-IRELAND
元件分類(lèi): 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述: 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
封裝: SIMILAR TO DO-35, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 90K
代理商: JANTXV1N3595-1
DESIGN DATA
Case: Hermetically sealed glass package per MIL-
PRF-19500/241 DO-35 outline
Lead Material: Copper clad steel
Lead Finish: Tin/Lead
Thermal Impedance (ZθJX): 70°C/W maximum
Marking: Blue body coat, Black digits.
Polarity: Cathode end is banded.
MAXIMUM RATINGS AT 25
°C
Operating Temperature:
-65
°C to +175°C
Storage Temperature:
-65
°C to +175°C
Surge Current A, sine 1S:
500mA
Surge Current A, sine 1uS:
4A
Total Power Dissipation:
500mW
Operating Current:
150mA, TA= +25°C
Derating Factor:
1mA/
°C above +25°C
D.C. Reverse Voltage (VRWM):
125V
FEATURES
1N3595-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV PER MIL-PRF-
19500/241
SWITCHING DIODE
METALLURGICALLY BONDED
HERMETICALLY SEALED
DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VF
IR
VBR
Ambient
(
°C)
IF
mA
Min
V
Max
V
Ambient
(
°C)
VR
V (dc)
Min
A
Max
A
Ambient
(
°C)
IR
A
Min
V
Max
V
25
1
0.52
0.68
25
125
-
0.001
-55
100 150
-
25
5
0.60
0.75
150
125
-
3.000
25
10
0.65
0.80
25
50
0.74
0.88
25
100
0.79
0.92
25
200
0.83
1.00
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT 25
°C
Symbol
Min
Max
Capacitance @ 0V
pF
-
8.0
TRR @ IF =10mA,
VR=35V
usec
-
3.0
IRELAND - GORT ROAD
, ENNIS, CO. CLARE
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TOLL FREE:
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1N3595-1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTX1N3595-1 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE
JANTX1N3595-1 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
JAN1N3595-1 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
JAN1N3595-1 0.15 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
JANTXV1N3595-1 0.15 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
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參數(shù)描述
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