參數(shù)資料
型號: JANTXV1N3017B-1
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
封裝: DO-41, 2 PIN
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 21K
代理商: JANTXV1N3017B-1
1N3016 thru 1N3045B
1000
100
10
1
Z
ZT
,
Zener
Impedance
(OHMS)
.1
1.0
10
100
OPERATING CURRENT lZT (mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
TL , Lead temperature (°C), 3/8” from body.
POWER DERATING CURVE
1000
800
600
400
200
0
Pd,
Rated
Power
Dissipation
(mW)
FIGURE 2
RMS value of
60CPS test
current set equal
to 10% of I z
1N3044B
1N3034B
1N3022B
1N3018B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTXV1N3019B-1 9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
JAN1N3154 8.4 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35
JAN1N3157 8.4 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35
JANTX1N3156 8.4 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35
JANTX1N3154 8.4 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35
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參數(shù)描述
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JANTXV1N3017CUR-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB(MELF,LL41) 標準包裝:1
JANTXV1N3017D-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:1
JANTXV1N3017DUR-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB(MELF,LL41) 標準包裝:1