型號(hào): | JANTX1N6120 |
元件分類(lèi): | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封裝: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
文件大小: | 383K |
代理商: | JANTX1N6120 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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JANTX1N6130A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
JANS1N6106 | 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
JANTX1N6102A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
JANTXV1N6102 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
JANTX1N6103 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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JANTX1N6120A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 9.1V 500W 2PIN E - Bulk |
JANTX1N6120AUS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 29.7V 500W 2PIN MELF - Trays |
JANTX1N6120US | 功能描述:TVS DIODE 29.7VWM BSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/516 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類(lèi)型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):29.7V 電壓 - 擊穿(最小值):35.25V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:56.28V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):8.84A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
JANTX1N6120USE_SQ._MELF | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 29.7V 500W 2PIN E - Trays |
JANTX1N6121 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |