參數(shù)資料
型號： JANTX1N5809
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類： 整流器
英文描述： 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： HERMETIC, 304, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 37K
代理商： JANTX1N5809
221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681 Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 127, REV.H
HERMETIC AXIAL / MELF HIGH EFFICIENTCY RECTIFIER
Hermetic, non-cavity glass package
Metallurgically bonded
Physical dimensions: Axial lead similar to E package and surface mount similar to D-5B
Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS
All ratings are at TA = 25
oC unless otherwise specified.
JAN
SJ
JANTX
SX
JANTXV
SV
1N5807 / US thru 1N5811 / US
Rating
Symbol
Condition
Max
Units
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE
1N5807 / US
1N5809 / US
1N5811 / US
VWM
50
100
150
Volts
AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT
Io
TL= 75
oC
3.0
Amps
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
IFSM
Tp=8.3ms
125
A(pk)
MAXIMUM REVERSE CURRENT
IR @ VRWM
Tj = 25
oC
5.0
μAmps
MAXIMUM REVERSE CURRENT
IR @ VRWM
Tj = 150
oC
525
μAmps
MAX. PEAK FORWARD VOLTAGE (PULSED)
300
μsec pulse, duty cycle < 2%
VFM
IFM=4.0A
IFM=6.0A
0.875
0.925
Volts
MAXIMUM REVERSE RECOVERY TIME
Trr
IF=IRM=0.5A
IREC=0.05A
30
ns
FORWARD RECOVERY VOLTAGE
VFRM
IF=500mA
tr=8ns
2.2
Volts
THERMAL RESISTANCE (Axial)
1N5807 thru 1N5811
R
θ
JL
L=.375
22
oC/W
THERMAL RESISTANCE (MELF)
1N5807US thru 1N5811US
R
θ
JC
L=0
6.5
oC/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN1N5809 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
JANTXV1N5809 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
JANTXV1N5809US 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
JANTX1N5811US 6 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
JANTX1N5809US 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANTX1N5809URS 功能描述:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANTX1N5809US 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 100V 6A 2-Pin E-MELF 制造商:Semtech Corporation 功能描述:Diode Switching 100V 6A 2-Pin SMD 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Trays 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 100V 6A 2-Pin E-MELF
JANTX1N5811 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case E 制造商:Semtech Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case G-112 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SWITCHING 150V 6A 2-PIN CASE E 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ULT FAST 150V 3A
JANTX1N5811CBUS 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF
JANTX1N5811URS 功能描述:Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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