參數(shù)資料
型號： JANS2N3019S
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
封裝： TO-39, 3 PIN
文件頁數(shù)： 17/20頁
文件大?。?/td> 128K
代理商： JANS2N3019S
MIL-PRF-19500/560E
6
Letter
Dimensions
Inches
Millimeters
Min
Max
Min
Max
A
0.098
0.102
2.49
2.59
C
0.098
0.102
2.49
2.59
NOTES:
1.
Dimensions are in inches.
2.
Metric equivalents are given for general information only.
3.
The physical characteristics of the die are:
Thickness: 0.006 inch (0.15 mm) to 0.010 inch (0.25 mm).
Top metal: Aluminum 25,000 minimum, 37,500 nominal.
Back metal: Gold 1,500 minimum, 6,500 nominal.
Back side: Collector.
4.
Unless otherwise specified, tolerance is
± 0.005 inch (0.13 mm).
FIGURE 3. Physical dimensions JANHCB and JANKCB.
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