參數(shù)資料
型號： JANHCA1N5819
廠商： MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： DIE-2
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： JANHCA1N5819
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
Website: http://www.microsemi.com
– 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER CHIP
– COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE
ATTACH TECHINIQUES, WITH THE EXCEPTION
OF SOLDER RELOW
Qualified per MIL-PRF-19500/586
LDS-0180 Rev. 1 (101290)
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DEVICE
QUALIFIED LEVELS
1N5819
JANHCA
JANKCA
MAXIMUM RATING AT 25°C
Operating Temperature:
-55°C to +110°C
Storage Temperature:
-55°C to +150°C
Average Rectified Forward Current:
1.0 AMP @ TL +55°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise specified)
TYPE
NUMBER
WORKING
PEAK
REVERSE
VOLTAGE
MAXIMUM FORWARD
VOLTAGE
MAXIMUM
REVERSE LEAKAGE
CURRENT AT
RATED VOLTAGE
VRWM
VF @ 0.1A
VF @ 1.0A
VF @ 3.1A
IR @ 25°C
IR @ 100°C
VOLTS
mA
1N5819
45
0.34
0.49
0.8
0.050
5.0
37 MIL SQUARE
ANODE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANKCA1N5819 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
JANS1N5711-1 0.033 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
JAN1N5711-1 0.033 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
JANS22GQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA
JANTXV22GQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA
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