參數(shù)資料
型號(hào): JAN2N6796
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-39
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直| 8A條(?。﹟ TO - 39封裝
文件頁數(shù): 17/19頁
文件大小: 103K
代理商: JAN2N6796
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN2N6798 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-39
JAN2N6800 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-39
JAN2N6802 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-39
JAN2N6804 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-204AA
JAN2N6806 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-204AA
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參數(shù)描述
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