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參數(shù)資料
| 型號： | JAN2N526 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至5 |
| 文件頁數(shù)： | 17/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | JAN2N526 |
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN2N5302 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3 |
| JAN2N5303 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
| JAN2N5339 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39 |
| JAN2N539 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 3.5A I(C) | STR-8 |
| JAN2N539A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 3.5A I(C) | STR-8 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JAN2N5302 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 30A 3PIN TO-3 - Bulk |
| JAN2N5303 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 20A 3PIN TO-3 - Bulk |
| JAN2N5339 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk |
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| JAN2N539 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 3.5A I(C) | STR-8 |
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