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參數(shù)資料
| 型號： | JAN2N5109UB |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 17/19頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | JAN2N5109UB |
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| JAN2N5151L | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39VAR |
| JAN2N5153 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39 |
| JAN2N5153L | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39VAR |
| JAN2N5157 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-3 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| JAN2N5115 | 制造商:Solitron Devices Inc 功能描述:JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| JAN2N5116 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:P-CHANNEL J-FET |
| JAN2N5151 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Bulk |
| JAN2N5151L | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Bulk |
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