參數(shù)資料
型號(hào)： JAN2N5109
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-39
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）| TO - 39封裝
文件頁(yè)數(shù)： 17/19頁(yè)
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代理商： JAN2N5109
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN2N5109UB BJT
JAN2N5151 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39
JAN2N5151L TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39VAR
JAN2N5153 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39
JAN2N5153L TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39VAR
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