參數(shù)資料
型號: JAN2N3097
元件分類: 晶閘管
英文描述: 1200 V, SCR, TO-209AC
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 81K
代理商: JAN2N3097
相關PDF資料
PDF描述
JAN2N6137 PROGRAMMABLE UJT, TO-18
JANTX2N6137 PROGRAMMABLE UJT, TO-18
JAN2N6274 50 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
JAN2N6989 0.8 A, 50 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
JANSR2N7406 24 A, 200 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
JAN2N3227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Bulk
JAN2N3227UB 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Waffle Pack
JAN2N3250A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 0.2A 3PIN TO-39 - Bulk
JAN2N3251A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 3-Pin TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 0.2A 3PIN TO-39 - Bulk
JAN2N3251AUB 功能描述:TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/323 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1