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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JAN2N1306 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300MA I(C) | TO-5 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 300mA的一（c）|至5 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | JAN2N1306 |
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MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
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PDF描述 |
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| JAN2N1358 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36 |
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參數(shù)描述 |
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| JAN2N1358 | 制造商:n/a 功能描述:2N1358 N12I7E 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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