型號(hào): | JAN1N756C |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
封裝: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 185K |
代理商: | JAN1N756C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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JAN1N756C-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
JAN1N756CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
JAN1N756D-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
JAN1N756DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
JAN1N757A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述: |