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參數(shù)資料
| 型號： | JAN1N5811 |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | JAN1N5811 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N5807 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTXV1N5804 | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTX1N5807 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTX1N5804 | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JAN1N5809 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JAN1N5811CBUS | 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF |
| JAN1N5811URS | 功能描述:Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 |
| JAN1N5811US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
| JAN1N5812 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 50V 20A 2PIN DO-4 - Bulk |
| JAN1N5812R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FAST RECOVERY RECTFR 50V 20A 2PIN DO-4 - Bulk |
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