參數資料
型號： JAN1N5540CURTR
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2
文件頁數： 3/3頁
文件大小： 182K
代理商： JAN1N5540CURTR
Low Voltage Surface Mount
500 mW Avalanche Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2003
10-31-2003 REV B
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
IN5518BUR-1 thru 1N5546BUR-1
(or MLL5518B-1 thru MLL5546B-1)
1N5
518
BUR
–
1N5
546
BUR
GRAPHS and CIRCUIT
Noise density, (ND) is specified in
microvolt-rms per square-root-hertz.
Actual measurement is performed
using a 1 kHz to 3 kHz frequency
bandpass filter at a constant Zener test
current (IZT) at 25
oC ambient
temperature.
P
dRated
Po
wer
Dissipation
(m
W
)
FIGURE 1 Noise Density
Measurement Circuit
TEC
TA
TEC, End Cap Temperature (
oC) or TA
Ambient temperature on FR4 PC board
FIGURE 2 Power Derating Curve
T
ypical
Capacita
nce
in
Picofarads
(pf)
Zener Voltage VZ
FIGURE 4
FIGURE 3 Capacitance vs. Zener Voltage (Typical)
Zener Diode Characteristics and Symbol Identification
PACKAGE DIMENSIONS
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.063
0.067
1.60
1.70
B
0.130
0.146
3.30
3.70
C
0.016
0.022
0.41
0.55
PAD LAYOUT
INCHES
mm
A
.200
5.08
B
.055
1.40
C
.080
2.03
相關PDF資料
PDF描述
JAN1N5546URTR 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
JANTX1N5528AURTR 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
JANTX1N5528CURTR 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
JANTX1N5537BURTR 17 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
JANTX1N5544UR-1TR 28 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
相關代理商/技術參數
參數描述
JAN1N5540D-1 功能描述:Zener Diode 20V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標準包裝:1
JAN1N5540DUR-1 功能描述:Zener Diode 20V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應商器件封裝:* 標準包裝:1
JAN1N5541B-1 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 22V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk
JAN1N5541BUR-1 制造商:Aeroflex 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 22V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk
JAN1N5541C-1 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 19.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*