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參數(shù)資料
| 型號： | JAN1N5527DUR |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 7.5 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | JAN1N5527DUR |
Low Voltage Surface Mount
500 mW Avalanche Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2003
10-31-2003 REV B
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
IN5518BUR-1 thru 1N5546BUR-1
(or MLL5518B-1 thru MLL5546B-1)
GRAPHS and CIRCUIT
Noise density, (ND) is specified in
microvolt-rms per square-root-hertz.
Actual measurement is performed
using a 1 kHz to 3 kHz frequency
bandpass filter at a constant Zener test
current (IZT) at 25
oC ambient
temperature.
P
dRated
Po
wer
Dissipation
(mW)
1N5
518
BUR
–
1N5
546
BUR
FIGURE 1 Noise Density
Measurement Circuit
TEC
TA
TEC, End Cap Temperature (
oC) or T
A
Ambient temperature on FR4 PC board
FIGURE 2 Power Derating Curve
Typical
Capacitance
in
Picofarads
(pf)
Zener Voltage VZ
FIGURE 4
FIGURE 3 Capacitance vs. Zener Voltage (Typical)
Zener Diode Characteristics and Symbol Identification
PACKAGE DIMENSIONS
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.063
0.067
1.60
1.70
B
0.130
0.146
3.30
3.70
C
0.016
0.022
0.41
0.55
PAD LAYOUT
INCHES
mm
A
.200
5.08
B
.055
1.40
C
.080
2.03
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JC6-W407-12 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| JC6-P106-09 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| JC6-P106-08 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| JC6-P106-07 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| JC6-P106-05 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JAN1N5527DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| JAN1N5528B-1 | 制造商:Aeroflex 功能描述:Diode Zener Single 8.2V 5% 500mW 2-Pin DO-35 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 8.2V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk |
| JAN1N5528BUR-1 | 制造商:Aeroflex 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 8.2V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk |
| JAN1N5528C-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| JAN1N5528CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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