型號: | JAN1N4957US |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 9.1 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封裝: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 66K |
代理商: | JAN1N4957US |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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JANS1N4973US | 43 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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JAN1N4959US | 11 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JAN1N4963US | 16 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
JAN1N4972US | 39 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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JAN1N4958 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 10V 5% 5W 2PIN E - Bulk |
JAN1N4958C | 功能描述:Zener Diode 10V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 |
JAN1N4958CUS | 功能描述:Zener Diode 10V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,E 供應商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 |
JAN1N4958D | 功能描述:Zener Diode 10V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 |
JAN1N4958DUS | 功能描述:Zener Diode 10V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,E 供應商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 |