參數(shù)資料
型號： IXTQ75N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 581K
代理商： IXTQ75N10P
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
5V
6V
7V
8V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0.3
0.6
0.9
V
D S
- Volts
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
I
D
V
GS
= 10V
9V
7V
6V
8V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 75A
I
D
= 37.5A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
IXTA 75N10P IXTP 75N10P
IXTQ 75N10P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA8N50P PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP8N50P PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTB30N100L Power MOSFETs with Extended FBSOA
IXTN30N100L Power MOSFETs with Extended FBSOA
IXTC13N50 Power MOSFET ISOPLUS220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ76N25T 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ80N28T 功能描述:MOSFET Amps V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ82N25P 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ86N20T 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ88N15 功能描述:MOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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