參數(shù)資料
型號： IXTQ69N30
廠商： IXYS Corporation
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： PolarHT功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 107K
代理商： IXTQ69N30
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTQ 69N30P
IXTT 69N30P
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
- Volts
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 150V
I
D
= 34.5A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120
140
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Forward-Bias Safe
Operating Area
1
10
100
1000
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
25μs
1ms
DC
T
C
= 25oC
R
DS
(on)
Limit
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ69N30P PolarHT Power MOSFET
IXTT69N30P PolarHT Power MOSFET
IXTR200N10P PolarTM HiPerFET Power MOSFET
IXTT11P50 A/D Converter (A-D) IC; Resolution (Bits):12; ADC Sample Rate:100kSPS; Input Channels Per ADC:1; DNL +/-:0.5LSB; INL +/-:0.5LSB; Data Interface:Serial, Parallel; Package/Case:44-PLCC; Leaded Process Compatible:No
IXTT10P50 Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ69N30P 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ72N20T 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ72N30T 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ74N15T 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ74N20P 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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