參數(shù)資料
型號(hào): IXTQ50N20P
廠商: IXYS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
中文描述: 50 A, 200 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 589K
代理商: IXTQ50N20P
2004 IXYS All rights reserved
IXTA 50N20P IXTP 50N20P
IXTQ 50N20P
Fig . 13. M axim u m T ran s ie n t T h e rm al Re s is tan ce
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1
10
100
1000
Pulse W idth - milliseconds
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參數(shù)描述
IXTQ50N25T 功能描述:MOSFET 50Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ52N30P 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ52P10P 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube