型號: | IXTP6P25 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| P通道| 250V五(巴西)直| 6A條(?。﹟至220 |
文件頁數(shù): | 3/12頁 |
文件大?。?/td> | 1098K |
代理商: | IXTP6P25 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTP7N45A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
IXTP7N50A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
IXTP7P15 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
IXTP7P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
IXTP8P25 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTP70N075T2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP70N085T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id70 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP74N15T | 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP75N10P | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |