參數(shù)資料
型號: IXTP4N60P
廠商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
產(chǎn)品目錄繪圖: TO-220, TO-251
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 歐姆 @ 2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 635pF @ 25V
功率 - 最大: 89W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220AB
包裝: 管件