參數(shù)資料
型號(hào): IXTP1N100
廠商: IXYS
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 歐姆 @ 1A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V
功率 - 最大: 54W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220AB
包裝: 管件