型號(hào): | IXTP15N30MB |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五(巴西)直| 15A條(?。﹟到220(5) |
文件頁(yè)數(shù): | 5/8頁(yè) |
文件大?。?/td> | 723K |
代理商: | IXTP15N30MB |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTP22N15MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
IXTP22N15MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
IXTP22N20MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
IXTP22N20MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
IXTP30N08MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTP15N50L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP15P15T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP160N04T2 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP160N075T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id160 BVdass75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTP160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |