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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTM40N30 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻0.088Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET) |
| 中文描述： | 40 A, 300 V, 0.088 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 封裝： | TO-204AE, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | IXTM40N30 |
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTH 35N30
IXTH 40N30
IXTM 40N30
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100 125 150 175 200
V
G
0
2
4
6
8
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Vds - Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
C
rss
300
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
C
oss
Limited by R
DS(on)
V
DS
= 150V
I
D
= 21A
I
G
= 10mA
C
iss
Single Pulse
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH50P085 | Standard Power MOSFET |
| IXTH50P10 | Standard Power MOSFET |
| IXTH50N20 | RES, 11K OHM, 1%, 1/10W, 100PPM CHIP, 0805 |
| IXTH68N20 | High Current MegaMOSFET |
| IXTK74N20 | High Current MegaMOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTM40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3 |
| IXTM42N15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-3 |
| IXTM42N20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-3 |
| IXTM4N100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC |
| IXTM4N100A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC |
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