參數(shù)資料
型號(hào)： IXTM21N60
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 21A條（丁）|至3
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： IXTM21N60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTM5N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-204AC
IXTM9N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3
IXTM9N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3
IXTS12N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-210AC
IXTH5N100 Standard Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXTM22P20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-3
IXTM24N45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-3
IXTM24N50 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTM24N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3
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