參數(shù)資料
型號(hào): IXTM21N50
廠商: IXYS
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
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描述: MOSFET N-CH 500V 21A TO-204AE
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 20
系列: MegaMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 21A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 250 毫歐 @ 10.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安裝類(lèi)型: 底座安裝
封裝/外殼: TO-204AA,TO-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-204
包裝: 管件
其它名稱(chēng): Q2438991