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IXTM20P25	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-3
IXTM22P15	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 22A I(D) \| TO-3
IXTM22P20	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 22A I(D) \| TO-3
IXTM2N100A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-204AC
IXTM2N95A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-204AC

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相關代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IXTM20N55	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 550V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-3
IXTM20N60	制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOS FET
IXTM20P25	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-3
IXTM21N45	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 21A I(D) \| TO-3
IXTM21N50	功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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參數(shù)描述

IXTM20N55

IXTM20N60

制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOS FET

IXTM20P25

IXTM21N45

IXTM21N50

功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號：	IXTM19P20
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-3
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| P通道\| 200伏五（巴西）直\| 19A條（?。﹟至3
文件頁數(shù)：	4/12頁
文件大?。?/td>	1098K
代理商：	IXTM19P20

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