參數(shù)資料
型號: IXTK600N04T2
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 25
系列: TrenchT2™ GigaMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 600A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 毫歐 @ 100A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 590nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 40000pF @ 25V
功率 - 最大: 1250W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-264-3,TO-264AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-264
包裝: 管件