參數(shù)資料
型號(hào)： IXTH9N95
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 950V五（巴西）直| 9A條（?。﹟對(duì)218VAR
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： IXTH9N95
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTL13N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254
IXTL14N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254
IXTL18N50 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-254
IXTL24N40 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-254
IXTM18N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTI10N60P 功能描述:MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTI12N50P 功能描述:MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTI76N25T 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTJ36N20 功能描述:MOSFET 36 Amps 200 V 0.07 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTJ4N150 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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