參數(shù)資料
型號(hào): IXTH96N20P
廠商: IXYS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel Engancement Mode
中文描述: 96 A, 200 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 609K
代理商: IXTH96N20P
2005 IXYS All rights reserved
Fig . 13. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al Re s is tan ce
0.01
0.10
1.00
1
10
100
1000
Puls e W idth - millis ec onds
R
(
o
IXTH 96N20P IXTQ 96N20P
IXTT 96N20P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ96N20P N-Channel Engancement Mode
IXTT96N20P N-Channel Engancement Mode
IXTK100N25P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ100N25P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTT100N25P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH96N25T 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH96P085T 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH98N20T 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH9N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR
IXTH9N95 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR