參數(shù)資料
型號： IXTH75N08
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-218VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟對218VAR
文件頁數(shù)： 8/8頁
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代理商： IXTH75N08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH9N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR
IXTH9N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR
IXTL13N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254
IXTL14N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254
IXTL18N50 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-254
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH75N10 功能描述:MOSFET STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH75N10 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXTH75N10L2 功能描述:MOSFET LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH75N15 功能描述:MOSFET 75 Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH76N25T 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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