參數(shù)資料
型號： IXTH50P085
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Standard Power MOSFET
中文描述： 50 A, 85 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 550K
代理商： IXTH50P085
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTH 50P085
Fig. 11. Capacitance
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
-40
-35
-30
-25
-20
-15
V
D S
- Volts
-10
-5
0
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
-10
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= -50V
I
D
= -25A
I
G
= -1mA
Fig. 7. Input Admittance
-150
-125
-100
-75
-50
-25
0
-11
-10
-9
-8
-7
-6
-5
-4
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 8. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-150
-125
-100
-75
-50
-25
0
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
-150
-125
-100
-75
-50
-25
0
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0.01
0.10
1.00
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH50P10 Standard Power MOSFET
IXTH50N20 RES, 11K OHM, 1%, 1/10W, 100PPM CHIP, 0805
IXTH68N20 High Current MegaMOSFET
IXTK74N20 High Current MegaMOSFET
IXTH6N120 High Voltage Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH50P10 功能描述:MOSFET -50 Amps -100V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH52P10P 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH5N100 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Standard Power MOSFET
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