參數(shù)資料
型號： IXTH42N20MB
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247(5)
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 42A條（?。﹟的TO - 247（5）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 723K
代理商： IXTH42N20MB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH67N08MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N08MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N10MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N10MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTP15N25MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH440N055T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 440A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH44N30T 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH44P15T 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH450P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH460P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*