型號: | IXTH35N25MA |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247(5) |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五(巴西)直| 35A條(丁)|的TO - 247(5) |
文件頁數(shù): | 3/8頁 |
文件大?。?/td> | 723K |
代理商: | IXTH35N25MA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTH35N25MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247(5) |
IXTH39N08MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
IXTH39N08MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
IXTH39N10MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
IXTH39N10MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTH35N25MB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247(5) |
IXTH35N30 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOSTMFET |
IXTH360N055T2 | 功能描述:MOSFET 360Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH36N20T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |