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IXTH27N35MB	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247(5)
IXTH27N40MA	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247(5)
IXTH27N40MB	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247(5)
IXTP30N10MB	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-220(5)
IXTZ67N10MA	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 67A I(D) \| Z-PAC

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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IXTH27N35MB	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247(5)
IXTH27N40MA	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247(5)
IXTH27N40MB	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247(5)
IXTH280N055T	功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH28N50Q	功能描述:MOSFET 28 Amps 500 V 0.20 W Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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參數(shù)描述

功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH28N50Q

功能描述:MOSFET 28 Amps 500 V 0.20 W Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號(hào)：	IXTH27N35MA
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247(5)
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 350V五（巴西）直\| 27A條（?。﹟的TO - 247（5）
文件頁(yè)數(shù)：	6/8頁(yè)
文件大小：	723K
代理商：	IXTH27N35MA

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