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IXTH19P20	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-218VAR
IXTH10N80	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-218VAR
IXTH10N95	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-218VAR
IXTH11N100	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-218VAR
IXTH11N90	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-218VAR

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IXTH19P20	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-218VAR
IXTH1N100	功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH1N250	功能描述:MOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH200N075T	功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH200N085T	功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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IXTH19P20

IXTH1N100

功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH1N250

功能描述:MOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH200N075T

功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH200N085T

功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號(hào)：	IXTH19P15
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-218VAR
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| P通道\| 150伏五（巴西）直\| 19A條（丁）\|對(duì)218VAR
文件頁數(shù)：	2/2頁
文件大?。?/td>	220K
代理商：	IXTH19P15

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