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參數(shù)資料
| 型號： | IXTH12N50A |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Standard Power MOSFET |
| 中文描述： | 12 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | IXTH12N50A |
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054
Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany
Tel: +49-6206-5030 Fax: +49-6206-503629
I
XYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTH 12N50A
IXTM 12N50A
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
5
10
15
20
25
R
D
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
V
GS
= 15V
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
5
10
15
20
25
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
5
10
15
20
25
6V
5V
7V
BV
DSS
12N50A
I
D
= 6A
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTM12N50A | Standard Power MOSFET |
| IXTH12N90 | N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.90Ω的N溝道增強型MegaMOSFET) |
| IXTH14N100 | MegaMOSTMFET |
| IXTH14N80 | MegaMOSFET |
| IXTH16P20 | Standard Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTH12N50MA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH12N50MB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH12N80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH12N90 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH12N95 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
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