參數(shù)資料
型號(hào): IXTA86N20T
廠商: IXYS
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
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描述: MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 86A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 29 毫歐 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V
功率 - 最大: 480W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263
包裝: 管件