參數(shù)資料
型號(hào)： IXTA3N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Power MOSFETs
中文描述： 3 A, 1200 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： PLASTIC, TO-263, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 102K
代理商： IXTA3N120
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTA/IXTP 3N120
IXTA/IXTP 3N110
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
D
0
1
2
3
4
5
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
Gate Charge - nC
0
10
20
30
40
50
60
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 600V
I
D
= 1.5A
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
V
GS
= 0V
Single Pulse
Fig. 7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig. 8 Capacitance Curves
Fig. 9 Drain Current vs Drain to Source Voltage
Fig.10 Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA3N110 High Voltage Power MOSFETs
IXTA3N50P PolarHV Power MOSFET
IXTP3N50P PolarHV Power MOSFET
IXTY3N50P PolarHV Power MOSFET
IXTA3N60P R8C; R8C/2x Series; Microcontroller; Bit Size: 32/16-bit CISC; ROM: 96K; RAM: 5K; ROM Type: Flash memory; CPU: R8C core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 50 (@20MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 20MHz/3.0 to 5.5V, 10MHz/2.7 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -40 to 85; Package Code: PLQP0048KB-A (48P6Q-A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTA3N120TRL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXTA3N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA3N50P 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA42N25P 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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