參數(shù)資料
型號： IXSR35N120BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為3.6V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
中文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： IXSR35N120BD1
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
1200
1200
V
V
20
30
V
V
T
C
= 25 C
T
C
= 90 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
= 22
Clamped inductive load, L = 30 H
70
30
A
A
A
140
I
= 90
@ 0.8 V
CES
A
t
(SCSOA)
V
GE
= 15 V, V
= 360 V, T
J
= 125 C
R
G
= 22
non repetitive
10
s
T
J
T
JM
T
stg
V
ISOL
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
50/60 Hz, RMS
t = 1 min leads-to housing
2500
V~
300
C
Weight
5
g
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
= 3.6 V
t
fi(typ)
= 160 ns
= 1200 V
= 70 A
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 3 mA, V
GE
= 0 V
=
1200
V
V
V
CE
= V
GE
3
6
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
1
3
mA
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= V
GE
= 15 V
3.6
V
98741 (08/00)
IGBT with Diode
ISOPLUS 247
TM
(Electrically Isolated Backside)
Short Circuit SOA Capability
IXSR 35N120BD1
Advanced Technical Information
!"#$
%&#''&#"(
)'%*
*'
'+ "#(
"'#
,''" "-' "" .,/*0
*-#& '
"-' ""
'"#'
'+''+
#&""'
Easy assembly
%&"-'(
ISOPLUS 247
TM
E 153432
G
C
Isolated backside*
E
#'
11'
* Patent pending
Device must be heatsunk for high temperature measurements to avoid thermal runaway.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
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PDF描述
IXSR40N60CD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
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IXSX50N60AU1S IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXTA05N100 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻15Ω的N溝道增強(qiáng)型高電壓MOSFET)
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參數(shù)描述
IXSR40N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSR40N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 62 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSR50N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSR50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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