參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH30N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管(帶二極管）)
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXSH30N60U1
4 - 6
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
J
0.001
0.01
0.1
1
Single pulse
D=0.5
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.01
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
t
f
0
250
500
750
1000
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
E
o
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
t
f
0
250
500
750
1000
E
off
(-A)
hi-speed
t
fi
(-A)
hi-speed
D = Duty Cycle
T
J
= 125
°
C
R
G
= 10
W
t
fi
(-A), hi-speed
E
off
(-A), hi-speed
T
J
= 125
°
C
I
C
= 30A
I
C
= 30A
V
CE
= 300V
T
J
= 125
°
C
R
G
= 4.7
W
dV/dt < 6V/ns
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.2
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60AU1 Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管(帶二極管）)
IXSH30N60 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSH30N60A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH35N100 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247AD
IXSH35N100A 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N135A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD
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