參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH30N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
中文描述： 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 119K
代理商： IXSH30N60BD1
3 - 5
2000 IXYS All rights reserved
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
10000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
GE
- Volts
4
6
8
10
12
14
16
I
C
0
20
40
60
80
100
120
140
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 15A
I
C
= 30A
I
C
= 60A
T
J
=
125
°
C
C
rss
f = 1Mhz
7V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
20
40
60
80
100
120
T
J
= 125
°
C
C
iss
C
oss
V
GE
= 15V
7V
9V
11V
13V
V
GS
=15V
9V
11V
13V
Fig.3
Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig.4 Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig.5
Input Admittance
Fig.6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig.1
Saturation Characteristics
Fig.2 Output Characterstics
IXSH 30N60BD1 IXSK 30N60BD1 IXST 30N60BD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60B High Speed IGBT
IXSH30N60C High Speed IGBT
IXST30N60B High Speed IGBT
IXST30N60C High Speed IGBT
IXSH30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH30N60C 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60U1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247AD
IXSH35N100A 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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