型號: | IXR100 |
英文描述: | IXR100 - DISCONTINUED PRODUCT. No longer recommended for new design. |
中文描述: | IXR100 -已停產(chǎn)產(chǎn)品。不再推薦用于新設(shè)計。 |
文件頁數(shù): | 1/14頁 |
文件大小: | 138K |
代理商: | IXR100 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXSA12N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
IXSE502PI | Servo Encoder |
IXSE503PC | Servo Encoder |
IXSE503PI | Servo Encoder |
IXSE501DC | Servo Encoder |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXRB5-506MINIPACK2 | 功能描述:IGBT 模塊 MiniPack 2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
IXRFD630 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:DRIVER MOSFET 30A DE275 制造商:IXYS Corporation 功能描述:DRIVER, MOSFET, 30A, DE275 |
IXRH40N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXRH50N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Reverse Blocking capability |
IXRH50N120 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Reverse Blocking capability |